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存儲芯片是未來物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算等新興領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵元件，因此存儲芯片的自主可控對我國新一輪信息化進程的推進具有十分重要的戰(zhàn)略意義?！秶壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》、“制造2025”等系列政策的落實和大基金為首資本的大力投入，為國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展打下了良好的基礎(chǔ)。

據(jù)WSTS統(tǒng)計，我國半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)快速增長趨勢，半導(dǎo)體市場規(guī)模增速高于全球市場：2019年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為4,065.9億美元，我國半導(dǎo)體市場規(guī)模約為1,400億美元，占比超34%。

存儲芯片是半導(dǎo)體市場最主要的細分領(lǐng)域。服務(wù)器數(shù)據(jù)存儲需求隨著技術(shù)進步而擴大，對應(yīng)存儲芯片市場穩(wěn)定增加。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，至2023年，全球存儲芯片市場有望達到11.2千億，2019-2023年復(fù)合增速分別為5%。中國存儲芯片市場為6.49千億，2019-2023年復(fù)合增速分別為6%，中國占全球份額近60%。

中國作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，長期以來都是存儲器產(chǎn)品最大的需求市場，但是國內(nèi)存儲芯片的自制率較低，國產(chǎn)替代的空間十分廣闊。

存儲芯片，又稱為存儲器，是指利用電能方式存儲信息的半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備，其存儲與讀取過程體現(xiàn)為電子的存儲或釋放，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域，是應(yīng)用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。

存儲芯片技術(shù)主要集中于企業(yè)級存儲系統(tǒng)的應(yīng)用，為訪問性能、存儲協(xié)議、管理平臺、存儲介質(zhì)，以及多種應(yīng)用提供高質(zhì)量的支持。隨著數(shù)據(jù)的快速增長，數(shù)據(jù)對業(yè)務(wù)重要性的日益提升，數(shù)據(jù)存儲市場快速演變。

存儲芯片主要分為閃存和內(nèi)存，閃存包括NAND FLASH和NORFLASH，內(nèi)存主要為DRAM。NOR、DRAM和NAND市場規(guī)模分別為26、830和610億美元。當下最主流的存儲器是DRAM以及NAND，這兩者占據(jù)了所有半導(dǎo)體存儲器規(guī)模的95%左右。

其中，DRAM屬易失性存儲器：在外部電源切斷后，存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)也隨之消失，主要用于各類PC、服務(wù)器、工作站、智能手機的內(nèi)部存儲單元；Flash屬于非易失性存儲器：能夠保持所存儲的內(nèi)容，主要應(yīng)用于存儲卡、U盤、SSD固態(tài)硬盤、移動終端的內(nèi)部嵌入式存儲器等。

同為閃存的NAND FLASH的NOR FLASH的區(qū)別主要在于應(yīng)用領(lǐng)域不同，NAND FLASH主要應(yīng)用于智能手機、SSD、SD卡等高端大容量產(chǎn)品，而NOR FLASH主要應(yīng)用于功能機、MP3、USBKEY、DVD等低端產(chǎn)品。此外，在汽車電子、智能機手機中TDDI、AMOLED中也會用到NOR FLASH。

存儲芯片產(chǎn)業(yè)技術(shù)含量高、規(guī)模效應(yīng)明顯，全球DRAM和NAND市場均表現(xiàn)出明顯的壟斷格局。

全球DRAM產(chǎn)業(yè)由韓國三星、韓國海力士及美國美光等前三大廠商形成寡頭市場，合計占據(jù)95%的市場份額。

三星、海力士和美光三家企業(yè)均擁有自己的DRAM內(nèi)存芯片工廠，并擁有自己的工藝。而對于很多中小型DRAM企業(yè)，沒有工廠，很難保證產(chǎn)品良率和性價比。國內(nèi)近年來也有很多企業(yè)建廠，但都是小批量，很難保證大產(chǎn)能的DRAM芯片的良率。

DRAM技術(shù)的投入太大導(dǎo)致很多企業(yè)無法承受，動輒幾百億。據(jù)悉，三星曾投資近百億美金加大研發(fā)最新的DRAM技術(shù)。而國內(nèi)的合肥長鑫與兆易創(chuàng)新聯(lián)合投入百億研發(fā)技術(shù)，這也讓很多企業(yè)望而卻步。

在DRAM的終端應(yīng)用上，從過去主要集中在PC相關(guān)應(yīng)用，擴充為目前多元化的應(yīng)用，其中智能手機為最大應(yīng)用市場區(qū)塊，而服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心因為云端應(yīng)用的高成長，成為成長最快速的區(qū)塊。

NAND Flash顆粒原廠中，主要的廠家為三星、鎧俠、西數(shù)、美光等。與DRAM市場格局一樣，三星同樣處于領(lǐng)先地位，市占率為34%，但NAND Flash市場集中度稍微低于DRAM市場。鎧俠與西數(shù)的合資工廠產(chǎn)能共用，若將其收入合并計算，其市占率與三星伯仲相當。

國產(chǎn)廠商規(guī)模最大的當屬長江存儲。公司日前宣布，最新128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是全球首款128層QLC閃存。目前，該閃存已通過多家知名控制器企業(yè)在固態(tài)硬盤等終端存儲產(chǎn)品上的驗證。

NOR存儲芯片行業(yè)同樣高度壟斷，全球前五大巨頭壟斷了近50%的市場。根據(jù)CINNO Research 2019年第二季度數(shù)據(jù)，華邦（23.4%）、旺宏（23.2%）、Cypress（18.3%）、兆易創(chuàng)新在NORFlash領(lǐng)域全球占比（13.9%）超越美光（10.9%）站上第四名的位置，創(chuàng)下中國存儲產(chǎn)業(yè)的新里程碑。

當前我國正處在由低端制造業(yè)轉(zhuǎn)向高尖端工業(yè)化的進程中，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型迫在眉睫，存儲芯片在推動國家信息化上承擔著關(guān)鍵作用。因此，扶持本土存儲器廠商發(fā)展壯大，發(fā)展國產(chǎn)存儲芯片迫在眉睫。隨著5G應(yīng)用啟動及人工智慧應(yīng)用發(fā)展，自駕車、邊緣運算及新興多元應(yīng)用將為存儲芯片產(chǎn)業(yè)持續(xù)增長帶來廣闊空間。

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